报告时间：2023年6月7日（星期三）14:00-16:00

报告地点：学术会议中心一楼大报告厅

报 告 人：陈维邦 博士

工作单位：合肥晶合集成电路股份有限公司

举办单位：材料科学与工程学院

报告简介：

介绍集成电路与产业的相关性，从基本的元件设计与制造到最后的晶片产生，结合目前产业的先进制程发展，让学生对于所学与业界有更紧密的了解与结合。

报告人简介：

陈维邦，晶合集成前瞻研发处长，具有先进半导体年资15年，毕业于台湾交通大学，电子工程专业博士学位。

主要专长：High-K Metal Gate, FinFET, Embedded Flash, Device。目前主要负责开发28纳米以下的MOSFET前瞻新技术，如高介电常数材料。（High-K material），多层金属闸极结构（Metal Gate），新式硅锗外沿的源/漏极（SiGe Source/Drain），后段铜金属连接与低介电常数（low-K material）的工艺技术整合。同时也研究电性与制程的关联性，进一步改善，获得效能的增加。（Improve DIBL, GIDL, Femi-level pinning, mobility scattering, S/D engineering, BOEL RxC，Speed-IDDQ, Reliability )。同时与不同模组合作开发新制程与解决不同的制程问题，设计出不同客制化的流程，来符合不同客户对于产品的不同的需求。

研究与荣誉：IEEE IEDM国际会议与IEEE EDL/TED 发表 12篇（一作）; 美国专利获证 10篇，中国专利授权18篇；荣获2019中国台湾优秀工程师奖；2021与2022晶合专利发明第一名。